電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-4-14
低駆動電圧DP-IQシリコン変調器の開発
◎石倉徳洋・五井一宏・岡 徹・Mikhail Illarionov・朱 海柯・小川憲介(フジクラ)・吉田悠来(NICT)・北山研一(光産業創成大学院大)・Tsung-Yang Liow・Xiaoguang Tu・Guo-Qiang Lo・Dim-Lee Kwong(Institute of Microelectronics)
 長距離ネットワークで確立されたデジタルコヒーレント通信は,メトロエリアネットワークやデータセンタ間接続などへ使用範囲が拡大しつつある.小型で安価なデジタルコヒーレントトランシーバを実現する技術として,シリコンフォトニクスは有望である.モノリシック集積した偏波多重導波路と,逆バイアス駆動型位相変調器をもつ偏波多重 (DP) 同相/直交位相 (IQ) シリコン変調器を用いれば,デジタルコヒーレント通信に必要な光学特性が得られる.一方で,消費電力の低減のために,駆動電圧を低減させる必要があった.
 本稿では,垂直方向にpn接合を形成した高効率な位相シフタを備えたシリコンDP-IQ変調器を用い,低駆動電圧で100Gbps超のDP-IQ変調を行った結果を報告する.