電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-4-10
中赤外フォトニクス向けGeSn系量子構造と光デバイス応用
○藤澤 剛(北大)・荒井昌和(宮崎大)・齊藤晋聖(北大)
GeSnはSnの組成比が10%程度で中赤外領域のバンドギャップを有する直接遷移半導体になることが知られており、近年,Si/Ge基板上のGeSn 活性層を用いた、2m帯における低温でのレーザ発振が実験的に確認されたことから,いわゆるシリコンフォトニクスの枠組みの中で、GeSn 系材料を用いた中赤外アクティブデバイスへの関心が高まっている[1]。また、中空コアフォトニックバンドギャップファイバの最低損失波長帯が2 ミクロン帯であることから,GeSn 系材料による光デバイスを用いて,新しい伝送媒体を利用した新規光通信波長帯の開拓が期待されている.本稿では、こうした中赤外GeSn系アクティブデバイスに用いられる量子構造の光学特性、及び、通信、センシング向けデバイス応用について述べる。