電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-4-6
光通信用850 nm帯面発光レーザの低消費電力化と高速化
○近藤 崇・櫻井 淳・城岸直樹・白井優司・早川純一朗・村上朱実・村田道昭(富士ゼロックス)・顧 暁冬・小山二三夫(東工大)
光通信のトラフィック増加に伴い,850 nm帯面発光レーザの更なる低消費電力化,高速化が求められており,従来GaAs量子井戸であった発光層にInを導入し,動特性改善に伴う低消費電力化,さらに横方向結合共振器による高速化を試みた.酸化径3 µmで作製したIn組成11.7%のGaInAs量子井戸発光層を有する面発光レーザを,バイアス電流0.31mAで10 Gbps変調した結果,良好なアイ開口を得た.消費電力は43 fJ/bitである.また,横方向結合共振器を導入した面発光レーザを試作,動特性評価し,f-3dB:28.8 GHz@RT,変調速度48 Gbpsで良好なアイ開口を得た.