電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-4-1
シリコン(100) ジャスト基板上InAs/GaAs 量子ドットレーザの実現
◎權 晋寛・張 奉鎔・李 珠行・影山健生・渡邉克之・荒川泰彦(東大)
InAs/GaAs 量子ドットレーザは優れた温度特性および耐転移特性を持つため、シリコンフォトニクス用光源として注目を浴びている。しかし、GaAs のシリコン上成長は材料特性の違いから起因する Antiphase Domain(APD)及び高密度貫通転位の発生などの問題点を持っている。また、これらを回避するために、シリコン基板上の直接成長による量子ドットレーザの作製は傾斜基板上や加工基板の上で行われてきた。しかし、これらの基板は現在のシリコンフォトニクスプラットフォームとの互換性を持たない。今回我々はSi (100)ジャスト基板上に InAs/GaAs 量子ドットレーザ直接成長し、レーザ発振を確認したので報告する。