電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-3-37
屈曲Si細線導波路の側壁におけるラフネスの影響
朝生龍也・◎佐々木陽太・山内潤治・中野久松(法政大)
屈曲Si細線導波路では, 小さな曲げ半径が利用できる. 一方, 導波路の作成過程で側壁にラフネスが生じることが問題となっている. しかしながら, これまで屈曲導波路の特性評価には, ラフネスのない理想的な構造が取り扱われており, ラフネスの影響は検討されてこなかった. 本稿では, 側壁にラフネスを有する屈曲導波路を解析する. ラフネスの標準偏差の変化がどのように純粋屈曲損を増加させるのかを明示する. また, 90°ベンドの場合, ラフネスの影響によって最適な屈曲半径が存在することを示す.