電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-3-4
シリコンフォトニックデバイスへの低損失結合用光ファイバ
◎小田拓弥・平川圭祐・市井健太郎・愛川和彦(フジクラ)
シリコンフォトニック(SiPh)デバイスのパッケージングにおいて、Si導波路と光ファイバとの結合損失低減が重要な課題である。我々はSiPhデバイス内に形成されたモードフィールド径(MFD)が4 µmのスポットサイズ変換器をターゲットに、MFDを4 µmから標準的なシングルモードファイバ(SMF)のMFDである10 µmまで低損失で変換できる熱拡散コア(TEC)ファイバを開発した。クラッド径が80 µm のTEC型SMFにおいてはMFDが10 µm のファイバとの融着損失が約0.2 dB、クラッド径が125 µm のTEC型偏波保持ファイバにおいては融着損失が約0.6 dBとなった。更に、これらのTECファイバを用いてSiPhデバイスとの結合損失を測定し、融着損失を含めて2.9 dB/2facetsという値を得た。