電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-17
大信号モデルによるGaN HEMTのRF特性に対するCgsの影響の解析
○菊池 憲・山本 洋・井上和孝(住友電工)
第5世代移動通信システム(5G)では,sub-6 GHz帯や28 GHz帯といった従来よりも高い周波数帯の利用が検討されている.これらのシステムでは機器全体の小型化のため,増幅器には高利得と高効率の両立が求められている.本報告ではトランジスタの入力側に着目し,大信号モデルを用いてゲート-ソース間容量Cgsの大きさがRF特性に与える影響をシミュレーションした.負荷線の解析,および出力電流・電圧の波形解析から,Cgsの大きさによって電流源における電流・電圧の位相が異なり,損失電力が変化することを確認した.