電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-13
GaAs 出力整合回路を用いたX 帯30W 級GaN-on-Si MMIC 高出力増幅器
◎神岡 純・河村由文・中原和彦・岡崎拓行・半谷政毅・山中宏治(三菱電機)
電子的にビーム走査できることを特長とするアクティブフェーズドアレーアンテナは多数の送信機を備えているため,低コストな送信機が求められる.現在,SiC 基板上にGaN を製膜したGaN-on-SiC MMIC (MonolithicMicrowave Integrated Circuit)増幅器がX 帯における主流であるが,コストが高くなる傾向がある.そこで,安価なSi 基板を用いたGaN-on-Si MMIC 増幅器に注目が集まっている.しかしながらGaN-on-Si 基板は誘電損失が大きく,出力電力が低下するため,X 帯におけるGaN-on-Si 増幅器の報告例は極めて少ない.本研究では誘電損失の小さいGaAs 基板を活用したX 帯30 W 級GaN-on-Si MMIC 高出力増幅器を提案し,試作によりその有効性を検証したので報告する.