電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-7
小型化直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-X帯20 W級GaN MMIC高効率広帯域増幅器
○桑田英悟・二宮 大・津波大介・木村実人・山中宏治(三菱電機)
近年GaAs HEMTより動作電圧が高く電力密度が高いGaN HEMTが登場し,高出力増幅器の更なる高出力化が進められている.しかし高電圧化による高出力化は特に多段増幅器の段間整合回路の狭帯域化を招く.そこで,これまで小型な回路でインピーダンス変成比を低減する直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を提案し報告してきたが,動作周波数が低い増幅器への適用では回路が大型化する課題があった.そこでスパイラルインダクタを適用した直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路により小型化を実現し,C-X帯20 W級GaN MMIC高効率増幅器の試作結果を報告した.その結果,CX帯比帯域55 %にて42.5 dBm以上の出力電力,26 %以上のPAEが得られ,提案回路が有効であることを示した.