電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
A-6-9
有機トランジスタCMOS回路製造のためのメタルマスクの要素設計ルールに関する一検討
◎ZHAOXING QIN(京大)・新谷道広(奈良先端大)・栗原一徳・小笠原泰弘(産総研)・廣本正之・佐藤高史(京大)
有機トランジスタは有機半導体による電界効果トランジスタであり,近年,著しく性能が向上している.有機トランジスタを用いたCMOS回路の作成工程では,材料の成膜領域をメタルマスクにより指定する.メタルマスクは磁石で基板上に固定され,その際に磁力による変形が生じる.本稿では,有機トランジスタのマスクレイアウト設計における2つのパターンに対して,CAEツールを用いた応力解析により,磁力によるマスクの最大変位を確認した.有機トランジスタを用いてCMOS回路を設計する際は,応力によるマスクの変形が十分に小さいことを保証し,また回路特性も考慮した設計ルールが必要であることを示した.