電子情報通信学会総合大会講演要旨
CI-4-2
有機無機ペロブスカイトを用いた高移動度トランジスタ
○松島敏則・Sunbin Hwang・Atula S. D. Sandanayaka・Chuanjiang Qin(九大)・藤原 隆(九州先端科技研)・安達千波矢(九大)
本研究では、NH3I-SAMで表面修飾した基板にペロブスカイトをスピンコートすると、原料からペロブスカイトへの変換に優れ、欠陥が少なく、ヒステリシスが小さなペロブスカイトトランジスタが得られることが分かった。基板表面のNH3I末端基はペロブスカイト構造の一部として振る舞うために、このように膜質が向上したのであろう。このトランジスタにおいて、これまでで最も高い電界効果ホール移動度(最大で12 cm2 V-1 s-1、平均で7.7 cm2 V-1 s-1)が得られた。