電子情報通信学会総合大会講演要旨
CI-3-4
AlNナノフォトニック構造による深紫外LEDの光取出し効率向上技術
井上振一郎(NICT)
波長200〜300nmの深紫外(DUV)光は、ウィルスの殺菌、飲料水・空気の浄化、生体分析、樹脂硬化、光線治療など、工業から安全衛生、環境、医療応用に至るまで、幅広い分野でその重要性を増している。しかしながら、これまで極めて低い光取出し効率や高密度な転位欠陥などの問題により、高出力なAlGaN系深紫外LEDは実現されていない。本講演では、AlN基板上AlGaN系深紫外LEDの光取出し効率を向上させるAlNナノ光構造を創製することで、室温CW動作において高出力な265nm帯DUV-LEDの開発に成功したことなどについて報告する。