電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-12-34
Self-Terminated 機構に基づくMTJ書込み回路とその乱数生成器への応用
○鈴木大輔・羽生貴弘(東北大)
不揮発性メモリ素子の一つであるMagnetic Tunnel Junction (MTJ)素子は,高い書換え耐性,3次元集積可能性などの特徴を有し,MOSトランジスタと組み合わせることでメモリのみならず様々なロジック回路への応用が可能である.一方,従来回路ではMTJ素子の確率的なスイッチング動作に起因したワーストケース書込みのため,大きな書込み電力が不可避であった.著者らはこの問題を解決するため,Self-Terminated機構を用いた書込み回路を提案してきた.本稿ではSelf-terminated機構のならびにその応用例として乱数生成器について述べる.