電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-10-11
MOSFETとHEMTを用いた二乗検波器の作製と感度特性の比較
◎関口恭介・松永直也・金谷晴一・浅野種正(九大)
テラヘルツ波の実時間イメージングデバイスを実現できれば、セキュリティーや医療、創薬など多くの分野で新しいサービスを創出できると期待されている。しかし、現在、イメージングデバイスに用いられている量子型および熱型検出ともに室温動作時のテラヘルツ帯での信号対雑音比が小さく、実時間撮像はその開発が困難を極めている。本研究では、高感度検波に適した電子素子を見出すことを課題とした。今回、LSI化が容易なSi-MOSFETと、集積化は容易ではないがキャリア移動度の大きな高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いてギガヘルツ帯の二乗検波器を作製し、その感度特性を比較した結果を報告する。