電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-10-4
窒化膜電気伝導のGaN HEMT信頼性劣化への影響
○広瀬真由美・松下景一・高木一考(東芝)
GaN HEMTの高温通電により生じる飽和電流の低下を、表面保護膜として形成する窒化膜の電気伝導の観点で数値モデルを用いて解析した。高温での窒化膜の電気伝導が界面準位の電子捕獲を促進し、飽和電流低下の要素の一つとなることが分かった。電気伝導の低い窒化膜を選択することで、飽和電流の低下が抑制され、信頼性の改善が期待できる。この計算結果に基づき電気伝導の異なる窒化膜のGaN HEMTに対しチャネル温度250℃での通電試験を実施したところ、計算結果を裏付ける実験結果を得た。