電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-8-7
SOI基板を用いた導波路結合型SSPD素子の作製
◎和木健太朗(阪大)・山下太郎・井上振一郎・三木茂人・寺井弘高(NICT)・生田力三・山本 俊・井元信之(阪大)
近年量子光学分野ではシリコンフォトニクス技術の進展を背景に,量子光学回路を基板上にワンチップに集約するモノリシック集積回路が注目されており,そのキーデバイスとして,導波路結合型超伝導ナノワイヤ単一光子検出器(Superconducting nanowire single-photon detector: SSPD)の研究が進められている.導波路結合型SSPDは,導波路上に配置された超伝導ナノワイヤにより導波路中を伝搬する光子を検出する.今回我々は,導波路結合型SSPDの実現に向けて,SOI基板を用いて作製したSi導波路上に超伝導ナノワイヤを作製し,超伝導特性の評価を行った.