電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-5-1
接触不良による接触点部分のインダクタンス値推定手法
◎佐藤友哉(東北大)・林 優一(東北学院大)・水木敬明・曽根秀昭(東北大)
高周波同軸コネクタに接触不良が生じた場合,不要放射電磁波が発生し,その強度は増大したインダクタンス値に依存する.これまで,接触不良部を接触境界面と接触点部からなる構造と捉え,接触点部分のインダクタンス値を推定する手法が提案されたが,推定精度は十分とはいえなかった.本稿では推定精度を向上させた導出手法の提案を行う.提案手法を用いて求めた接触不良部のインダクタンス値と電磁界解析による解析値を比較し,良好な一致が見られたことから,提案手法が接触不良により増大するインダクタンス値の増加傾向を表す際に有用であることを示した.