電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-4-7
プラズマ活性化貼付法を用いたAlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの作製
◎鈴木純一・林 侑介・井上慧史・Shovon MD Tanvir Hasan・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久(東工大)
直接接合技術によるIII-V/SOIハイブリッドレーザが注目されている。これまで、AlInAs酸化狭窄構造を導入すれば、Si光導波路との組み合わせた場合、電流及び光両方の閉じ込め効果により高効率動作を期待できることを提案してきた。今回その前段階として、AlInAs酸化狭窄構造のみを導入したGaInAsP/SOIハイブリッドファブリ・ペローレーザを作製し、室温パルス駆動時においてしきい値電流50 mA、片端面光出力に対する外部微分量子効率11%を得た。