電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-3-64
可変波長フィルタのためのSi3N4コア層グレーティング導波路の製作
◎榊原健太郎・武田正行・砂田和紀(神奈川工科大)・加藤亜希文・山本宗継(産総研)・中津原克己(神奈川工科大)
可変波長フィルタの波長シフト量の増大のため、シリコンフォトニクスと親和性が高い上に窒化物材料を用いた導波路を検討した。Si3N4はSiより屈折率が低いため、コア層に用いることによって強誘電性液晶層へのエバネッセント成分を大きくし、強誘電性液晶による屈折率変化の効果の増大が期待できる。強誘電性液晶を用いた可変波長フィルタを実現するための要素技術としてグレーティング領域長300mのSi3N4コア層グレーティング導波路を製作した。製作素子の透過率波長特性に理論波長特性をフィッティングさせることによりグレーティング構造を評価した。