電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-3-33
薄膜LN基板を用いて低駆動電圧化・低チャープ化したアクティブY分岐集積MZ変調器
◎山口祐也(早大)・菅野敦史・川西哲也(NICT)・井筒雅之(日本学術振興会サンフランシスコ研究連絡センター)・中島啓幾(早大)
ニオブ酸リチウム(LN)を基板とした光変調器は,その優れた変調特性を持つ一方で,半導体材料を用いた変調器と比べて半波長電圧が大きいという課題がある.本稿では,低誘電率材料に接着されたLN薄板を基板として採用することで低チャープ特性と半波長電圧の低減化を図り,さらにアクティブY分岐の集積によるマッハ・ツェンダ(MZ)変調器の高消光比化技術も組み込んだデバイスを試作したので報告する.