電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-3-32
130°C環境における低電圧シリコン光変調器のTECフリー動作
◎石倉徳洋・石原啓樹・阪本真一・五井一宏・小川憲介(フジクラ)・Liow Tsung-Yang・Tu Xiaoguang・Lo Guo-Qiang・Kwong Dim-Lee(Institute of Microelectronics)
リブ導波路型の位相変調部を有する逆バイアス駆動シリコンマッハ‐ツェンダ光変調器では,CおよびLバンドにわたる広波長帯で高速動作が可能であり,波長多重伝送に対応した小型高速光トランシーバへの応用が期待される.しかし,πシフト電圧 (Vπ) が5V以上であり,市場で普及している低電圧ドライバでは性能を十分に発揮できず低電圧化が必要という課題があった.シリコン光変調器では,キャリアプラズマ分散を駆動原理とすることから変調特性が温度変化に対して安定であるため,電子冷却器 (TEC) が不要で消費電力低減が容易になる.これまでリブ導波路型シリコンMZ光変調器の高温動作の実証は60°Cまでにとどまっていた.われわれはリブ導波路型位相変調部のPN接合の構成を見直し,Vπを2.7V以下に低減した.さらに,130℃に達する高温で高消光比の10 Gb/s強度変調を実証した.