電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-3-30
歪SiGeを用いたSi光変調器の作製プロセス検討
○野口将高・藤方潤一・高橋重樹(PETRA)・韓 在勲(東大)・中村隆宏(PETRA)・竹中 充(東大)
シリコンフォトニクス技術とCMOS電子回路技術を融合し、超高密度の信号伝送を低消費電力で実現可能な光電子融合技術が注目を集めている。その中で、Si光変調器は伝送容量と消費電力を左右するキーデバイスであると考えられる。本検討では、歪SiGe層を適用したSi光変調器の高性能化を実現するため、in‐situドーピングした歪SiGe層を用いたSi光変調器の作製プロセスの検討を行い、低損失、高効率化を実現したので報告する。