電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-2-55
2倍波分波機能を備えた2GHz帯超小型CMOSオンチップバラン
◎寺嶋一真・藤井憲一・高木 直(Wave Tech.)・坪内和夫(Wave Tech./東北大)・亀田 卓・末松憲治(東北大)
CMOS電力増幅器は、高出力化のためにプシュプル構成を採っており、その合成回路としてバラン回路が用いられ、バラン回路の設計は磁界結合理論による設計が行われている.従来の設計方程式では、全体設計による試行錯誤を要した.本開発では、結合線路理論に基づいた設計方程式を導出し、線路設計により概略設計を可能とした.本稿ではその試作結果について述べる.