電子情報通信学会総合大会講演要旨
BS-5-5
GaNパワーデバイスの電力変換装置への適用に関する検討
◎小林由布子・中村俊和(トランスフォーム・ジャパン)・Wu YiFeng・Huang Zan・Wang Zhan(Transphorm)
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは現行のシリコン(Si)のパワーデバイスに比べて、大幅な低消費電力化と小型化を同時に実現できるため、大いに期待されている。TransphormのGaNパワーデバイスは既に量産されており、“現世代”デバイスになっている。
GaNパワーデバイスの特徴、現行のSi MOSFETとの比較データや、信頼性・量産状況などを発表する。