電子情報通信学会総合大会講演要旨
BS-5-1
ドレインホール注入型GaN-GIT構造による電流コラプスフリーとその連続動作評価手法の開発
○黒田正行・柳原 学・金子佐一郎・井腰文智・大来英之・引田正洋・上本康裕・高橋 理(パナソニック セミコンダクターソリューションズ)・森田竜夫・田中健一郎・上田哲三(パナソニック オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社)
従来のGaNパワーデバイスで大きな課題となっていた電流コラプスを解決する新技術を開発した。電流コラプスは、電子がゲート‐ドレイン間にトラップされることで起こるが、新技術ではドレイン近傍に配置したp-GaNから電子と再結合するホールを注入し、電子をトラップから解放する。本技術をGaN-GIT(Gate Injection Transistor)に適用した結果、850Vまでの完全な電流コラプスフリー特性を得た。また、実際のユースケースを想定したダイナミックなスイッチング動作試験も実施し、製品としてユーザーの信頼に十分適うデバイスであることを確認した。