電子情報通信学会総合大会講演要旨
B-9-17
部分要素等価回路法を用いたSiCパワーモジュールの寄生インダクタンスモデル化に関する一検討‐動特性に基づく寄生インダクタンスのモデル化との比較‐
◎増田瑛介・舟木 剛・井渕貴章(阪大)・宮崎達也・金武康雄・中村 孝・大嶽浩隆(ローム)
SiCやGaNなどのワイドギャップ半導体が台頭してきたことでスイッチングの高速化・高周波化が進み、回路内の寄生成分を無視できなくなってきた。従って回路内の寄生成分をモデル化する必要がある。本論文では、インピーダンスの周波数特性と部分要素等価回路法(PEEC法)の2通りで抽出したSiCパワーモジュールの寄生インダクタンスが精度よく一致し、PEEC法で寄生インダクタンスをモデル化できることを示す。さらに降圧DC/DCコンバータの寄生インダクタンスをPEEC法と動特性から抽出し、両者もまた精度よく一致することを示す。