電子情報通信学会総合大会講演要旨
A-1-3
FinFETを用いた断熱的論理回路に逆バイアスを加えることによる消費電力低減効果
◎大野修平・高橋康宏・関根敏和(岐阜大)
FinFETは従来の平面型トランジスタとは異なり,3次元的な構造かつ,ダブルゲート構造となっている.バックゲートに逆バイアスを加えることで,フロントゲートのしきい値電圧を大きくし,漏れ電流を抑え,漏れ電力を抑えることが可能である.また,過渡電流を抑え,動的電力を抑える方法として,回路に印加される電源電圧を緩やかに増減することで,トランジスタの抵抗での消費エネルギーの低減を行い,また,回路中に一時的に保存されるエネルギーを電源に回収させる断熱的論理回路技術がある.本研究では,FinFETのバックゲートに逆バイアスを加えた断熱的論理回路の消費電力削減効果について報告する.