パワー半導体による直流電流の限流遮断方式を提案してきた。近年では，SiC系MOSFET素子型モデル遮断器において，ゲート・ソース間電圧を2段階で低下する制御回路を考案した。同モデル遮断器に直流遮断を課した。その結果，遮断時間の短縮だけでなく，遮断限界の向上にも有効であることがわかった。