近年，次世代配電網向けパワーエレクトロニクス機器の小型化，高効率化が要求されている。特に，従来の大重量で大型な商用周波数トランスの代わりに，パワーデバイス等から構成され，低重量，小型，制御可能なSST（ソリッドステートトランス）に関する研究が盛んである。Dual Active Bridge（DAB）コンバータはSSTの絶縁DC-DC変換部分として，最も注目を集めている。SiCパワーデバイスを用いて，より高い周波数で動作でき，さらに小型な変換回路が望まれる。SiC-MOSFETを用いて作ったDABコンバータの効率，損失とデッドタイムの関係を検証するために実験を行ったので報告する。