SiCやGaNなどの新型スイッチングデバイスは，その性能を最大限に発揮するため，従来のディスクリートパッケージではなく，小型チップ形状のパッケージが用いられることがある。この場合，放熱器の実装方法が課題となる。本論文では，放熱器の実装方法について議論し，試作器を製作して実験検証を行った。その結果，放熱器の圧力は基板に加え，デバイスに対して間接的に圧力を加える構造にすると，基板のたわみや振動などデバイスに対する外的影響を緩和することができ，品質を向上すること可能であることがわかった。