IGBTやMOSFETのスイッチング期間中にゲート電圧を制御し、サージ電圧抑制などを行うアクティブゲート駆動技術が注目されている。一方で高周波化によるスイッチング損失の増加が懸念されている。本稿では、サージ電圧の抑制とスイッチング損失の低減を両立することのできるゲート駆動回路を検討し、ターンオフ損失を16％低減可能であることを解析によって検証した。