電気学会全国大会講演要旨
4-001
SiC MOSFETを用いた400 kHz高周波インバータとその応用
◎倉地真也・吉竹拓也・山田洋明・田中俊彦(山口大学)
筆者らは先に,SiC MOSFETを用いた定格出力4 kW,駆動周波数400 kHzの高周波インバータを試作し,その有効性を実験により明らかにした。本論文では,これまで検討してきた高周波誘導加熱を用いた小金属検出法の高周波電源としてSiC MOSFETを用いた400 kHz高周波インバータを適用する。実験結果から,良好な小金属加熱が実現でき,サーモグラフィにより小金属検出が可能であることを確認したので報告する。