近年利用が広まるIGBTモジュールの絶縁には、固体と液体の中間的な特性を持つシリコーンゲルが利用されている。シリコーンゲル中の放電によるキャビティーの成長条件や進展長について多くの研究がなされるなか、徐々にゲル中の沿面放電現象の物理が解明されつつある。本稿では、放電現象の様相、即ちゲル-基板界面の部分放電に伴う発光、及びキャビティーの挙動と、PRPDパターンとの関係を測定した。その結果、正極性の部分放電では単一のトランクが、負極性では複数のトランクが発光することが多いこと、キャビティー先端のボイドに到達し面積を急変させる部分放電は電荷量が大きいものに限られることが明らかになった。