近年の微細加工技術の発達に伴い、気体中や誘電体表面の微小ギャップにおける絶縁破壊現象が大きな問題とされるようになった。特にマイクロアクチュエータに代表されるようなトルク出力が要求されるMEMSデバイスでは、出力が電界強度によって決定されるため、μm〜nmオーダのギャップ間の絶縁の把握が重要な鍵となる。しかしながら、マイクロギャップ間における放電現象には未解明な点が多く残されている。著者らはSiO2基板上に作成した微小沿面ギャップにおける放電機構を、実験とシミュレーションの両面から明らかにする研究を行ってきた。本論文では、マイクロギャップ放電におけるSiO2表面での二次電子放出係数の影響をシミュレーションにより検証したので報告する。