収束磁場を用いたプラズマ装置構成は効率的なプラズマ輸送が見込まれるため，半導体プロセスにおけるエッチング技術に適用できると考えられる．また半導体プロセスにおいて，3次元集積回路のような多品種少量生産に適した製品を低コストかつ高速に製造するコンパクトなシステムの確立が求められている．Arガスを用いた収束磁場によるエッチングレート上昇の効果は先行研究で確認されているが，SF6ガスを用いた結果は報告されていないため，本研究ではSF6ガスを用いて，コンパクトな収束磁場型ヘリコンプラズマ源によるエッチングを行った．詳細は講演にて述べる．