近年、エレクトロニクスにおいてはセンサの利用が進み、集積温度センサの高性能化が重要になっている。本研究ではPTAT型半導体温度センサの温度特性のシミュレーションを行い,その誤差要因を分析することによって、検出精度の向上を検討した。LTSPICEによるシミュレーションを行った結果、電源電圧が5Vで温度を－40℃から100℃まで変化させた時誤差は2〜8℃程度に増加していく形となった。またバイアス電流が少ない場合には高温においてさらに大きな誤差を生じた。また理想的なトランジスタに対してアーリー電圧Vaが100V程度となると温度誤差∆Tは11℃程度の正の値となり、電流増幅率hFEが200程度まで低下すると温度誤差∆Tは3℃程度の負の値になるという結果が得られた。