電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-2-8
短ゲートGaN HEMTを用いたKu帯高効率電力増幅器
亀井 雅・中澤 進・長坂正史・田中祥次(NHK)・○鳥居拓真・今井翔平・山中宏治・河野正基(三菱電機)
従来より衛星放送システムにおいて、衛星搭載用電力増幅器には高効率性能が利点であるTWTAが用いられてきた。一方で、今後開発される衛星中継器向け電力増幅器には小型・軽量化が求められ、TWTAに置き換わる電力増幅器として半導体素子を用いた固体電力増幅器が期待されている。固体電力増幅器は小型・軽量化の利点があるが、GaAs系半導体ではTWTAの効率性能に及ばなかった。昨今、GaAsよりも高効率性能が得られるGaNの開発が進み、固体電力増幅器の高効率化の可能性が高まってきた。そこで、TWTAを固体電力増幅器で代替する一歩として、ゲート長0.15mのGaN HEMTを用いた固体電力増幅器を試作した。さらなる高効率化に向けて、入力側に高調波処理回路を装荷した。