電子情報通信学会総合大会講演要旨
BS-5-4
GaN デバイスに適した電流分割型逆 E 級増幅器
◎末次 正(福岡大)
本研究では GaN デバイスを用いることを想定した電圧
分割型の E 級増幅器の相対回路である電流分割型の逆 E
級増幅器を提案する。逆 E 級増幅器においてトランジス
タを並列に接続することによりトランジスタ1つ当たり
のピーク電流をn分の1に低減する。またこの回路にお
いてはドライブ端子は並列に接続されるためノーマリオ
ンデバイスの駆動を1つのドライブ信号源で行うことが
可能でありノーマリオン負電圧駆動のワイドバンドギャ
ップデバイスをスイッチングデバイスとして用いること
ができる。
本研究ではスイッチング周波数 50MHz の電流分割型逆
E 級増幅器を設計し PSIM により動作を確認した。