エレクトロニクスソサイエティ

 

ソサイエティ特別企画

CK-1. エレクトロニクスソサイエティプレナリーセッション
(エレクトロニクスソサイエティ運営委員会)

3月19日 15:00〜17:00 総合教育研究棟 B棟 2階 251 司会 武藤伸一郎(NTT)

15:00~
 15:05
ソサイエティ会長挨拶 会長 榎木 孝知(NEL)
15:05~
 15:20
表彰式
・エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰
・エレクトロニクスソサイエティ会長特別表彰
・エレクトロニクスソサイエティ学生奨励賞
15:25~
 16:10
特別講演1
「パワー素子応用のためのGaN系電子デバイス技術の現状と可能性」
  講師 橋詰 保 教授(北海道大学)
概要: GaN 系電子デバイスは、シリコンデバイスを凌駕する高い電力密度を高速に制御可能であることから、電気自動車やスマートグリッド、エアコンなどの電力変換システムを高効率かつ小型化でき、限られた電力を有効に使うために必要不可欠なパワーデバイスとして期待されている。我が国の科学技術イノベーション総合戦略においても、革新的デバイスの開発による効率的エネルギー利用において重要な技術として位置づけられている。
本講演ではGaN系電子デバイス技術の現状を紹介するとともに、その課題点と将来の可能性について述べる。
16:15~
 17:00
特別講演2
「シリコンCMOSとの融合集積を目指したIII-V族光電子デバイスの現状と展望」
  講師 荒井 滋久 教授(東京工業大学)
概要: シリコンCMOSを用いたLSIの能力を飛躍的に向上させる様々な方法が検討されており、III-V 族半導体光源を含む光配線の導入やIII-V族半導体電子デバイスの導入が期待されている。この実現のためには、異種基板集積技術の向上のほかに、その集積法を活かした独特のデバイス構造の導入が重要となる。
本発表においては、CMOS回路との将来的な融合を目指し、シリコン基板上極低消費電力III-V族薄膜半導体光デバイスを中心にその歴史や現状、将来を概観し、同様の異種基板集積技術によって作製されるシリコン基板上III-V族半導体MOS などの電子デバイスの現状についても議論する。

チュートリアルセッション

CT-1. 超伝導検出器を用いた先端センシングシステム
(超伝導エレクトロニクス研専)

3月20日 10:20〜16:40 教育学部 B棟 2階 201 座長 円福敬二(九大)

  講演時間:各25分
CT-1-1 先端センシングシステムに用いられる超伝導検出器
  明連広昭(埼玉大)
CT-1-2 材料分析に向けたTransition Edge Sensor(TES)型X線分析システム
  ○田中啓一(日立ハイテクサイエンス)・原 徹(NIMS)・満田和久(JAXA)・前畑京介(九大)・山中良浩(大陽日酸)
CT-1-3 STJを用いた質量分析とX線分析
  ○大久保雅隆・浮辺雅宏・志岐成友(産総研)
CT-1-4 単一磁束量子読出し回路による中性子検出器
  ○藤巻 朗(名大)・日高睦夫(産総研)・石田武和(阪府大)

休 憩(60分)  座長 柴田浩行(NTT)

CT-1-5 2次元テラヘルツ分光用MKIDアレイの研究開発
  ○有吉誠一郎(名工大)・中島健介・齊藤 敦・林 賢人(山形大)・田井野 徹(埼玉大)・大谷知行(理研)・大嶋重利(山形大)・兪 熊斌・裵 鐘石(名工大)
CT-1-6 TESのマイクロ波帯周波数多重読出;白色雑音の改善
  ○神代 暁・平山文紀・山森弘毅・永沢秀一・福田大治・日高睦夫(産総研)
CT-1-7 超伝導ナノワイヤを用いた単一光子検出技術の進展
  ○三木茂人・山下太郎・王 鎮・寺井弘高(NICT)
CT-1-8 SFQによる超伝導単一光子検出器アレイ読出し回路
  ○寺井弘高・三木茂人・山下太郎・牧瀬圭正・梶野顕明(NICT)・王 鎮(SIMIT)

休 憩(20分)  座長 明連広昭(埼玉大)

CT-1-9 TESを用いた光子数識別器
  ◎福田大治・沼田孝之・吉澤明男・土田英実(産総研)
CT-1-10 SSPDによる長距離量子鍵配送
  柴田浩行(NTT)
CT-1-11 超伝導トンネル接合によるヘテロダイン検出
  野口 卓(国立天文台)
CT-1-12 MKIDを用いたTHz波カメラ
  関本裕太郎(国立天文台)
CT-2. 応用面から見た次世代パワーデバイスへの期待-現状と展望
(電子デバイス研専)

3月20日 13:00〜16:55 総合教育研究棟 B棟 3階 350 座長 上田哲三(パナソニック)

  講演時間:指定以外各30分
CT-2-1 電気鉄道におけるパワエレ技術動向とSiCパワーデバイスへの期待
  小笠正道(鉄道総研)
CT-2-2 エネルギーシステムの変遷と太陽光発電用パワーコンディショナーの技術動向
  阪部茂一(田淵電機)
CT-2-3 民生機器における次世代パワーデバイスへの期待と課題
  ○大久保敏一・叶田玲彦・庄司浩幸・嶋田尊衛(日立)
CT-2-4 GaN, SiCパワーデバイスの車載応用
  加地 徹(豊田中研)

休 憩(15分)  座長 松永高治(NEC)

CT-2-5 Siパワー半導体開発の現状と応用動向(25分)
  川口雄介(東芝)
CT-2-6 SiならびにSiCパワーデバイスと応用機器開発(25分)
  岩室憲幸(筑波大)
CT-2-7 SiC-SBDの要素技術開発と応用(25分)
  新井 学(新日本無線)
CT-2-8 GaN-FETを用いた5MHz・DC-DCコンバータの高電力密度化(25分)
  ○松浦 研・栁 洋成・富岡 聡(TDKラムダ)・針屋昭典・石塚洋一(長崎大)・二宮 保(国際東アジア研究センター)
CT-3. ビッグデータ時代のアーキテクチャ技術
(集積回路研専)

3月20日 13:00〜17:00 総合教育研究棟 F棟 3階 371 座長 山村 毅(富士通研)

  講演時間:各55分
座長挨拶:5分
CT-3-1 ビッグデータ時代のアーキテクチャ技術
  佐藤一郎(NII)
CT-3-2 ビッグデータの見えざる手:社会は科学的にコントロールできるか
  ○矢野和男・渡邉純一郎・佐藤信夫・森脇紀彦(日立)

休 憩(15分)  座長 鳥居 淳(トプスシステムズ)

CT-3-3 多様なBig Data処理に適合するSoftware Defined Server
  三吉貴史(富士通研)
CT-3-4 性能・容量ニーズに応えるToshiba Total Storage Platformのアーキテクチャ技術
  石井君明(東芝ソリューション)

依頼シンポジウム

CI-1. Thailand-Japan MicroWave(TJMW)2013 優秀発表賞特別セッション
(マイクロ波研専)

3月19日 13:00〜14:45 総合教育研究棟 F棟 3階 374 座長 加保貴奈(NTT)

  講演時間:各25分
TJMW2013 Student Encouragement Chair挨拶:5分
CI-1-1 MNG ENG NZI Fractal Metasurface on Slot Antenna
  ○Tanan HONGNARA・Sarawuth CHAIMOOL・Prayoot AKKARAEKTHALIN(King Mongkut's Univ. of Tech. North Bangkok)
CI-1-2 Gain Enhancement for Multiband Antenna with Hilbert Fractal Slot Reflector
  ○Chamaiporn RATNARATORN・Norakamon WONGSIN・Chatree MAHATTHANAJATUPHAT・Prayoot AKKARAEKTHALIN(King Mongkut's Univ. of Tech. North Bangkok)
CI-1-3 A Dual-Step-Mixing ILFD using a Direct Injection Technique for High-Order Division Ratios in 60GHz Applications
  ○Teerachot SIRIBURANON・Wei DENG・Ahmed MUSA・Kenichi OKADA・Akira MATSUZAWA(Tokyo Tech)
CI-1-4 Spherical Dielectric Resonator As an Accurate Source of High-order Mode Spherical Wave
  ◎Takayuki MATSUMURO・Yohei ISHIKAWA・Naoki SHINOHARA(Kyoto Univ.)
  引き続き一般セッションからの講演となります。
CI-2. マイクロ・ナノフォトニクス集積および実装技術とその展開
(シリコン・フォトニクス研究会と次世代ナノ技術研究会の共同主催、レーザ・量子エレクトロニクス研専 共催)

3月20日 13:00〜17:00 総合教育研究棟 B棟 2階 255 座長 中村隆宏(PETRA)

  講演時間:各25分
座長挨拶:5分
CI-2-1 波長多重光接続に向けたナノフォトニック集積技術
  ○裏 升吾(京都工繊大)・金髙健二(産総研)
CI-2-2 チップ間光配線に向けたシリコンナノフォトニックデバイス集積技術
  ○賣野 豊・臼杵達哉・藤方潤一・石坂政茂・山田浩治(PETRA)・堀川 剛(産総研)・中村隆宏(PETRA)・荒川泰彦(東大)
CI-2-3 シリコンフォトニクスと光カプラ
  ○山田博仁・奈良匡樹・北 智洋(東北大)
CI-2-4 シリコンフォトニクスにおけるLD実装
  森 雅彦(産総研)

休 憩(10分)  座長 天野 建(産総研)

CI-2-5 高機能光マイクロシステム・センサを実現する低温接合技術
  日暮栄治(東大)
CI-2-6 モスキート法によるポリマー光導波路の作製と広帯域-高密度オンボード光インターコネクトへの応用
  石榑崇明(慶大)
CI-2-7 ポリマー光配線技術を用いた光インターコネクト用基板
  ○前谷麿明・淺井覚詞・松原孝宏(京セラ)
CI-2-8 マイクロフルイディックエンジニアリングとバイオセンサーへの展開
  ○水野 潤・笠原崇史・庄子習一(早大)・江面知彦・松波成行(九大)・大島寿郎(日産化学工業)・安達千波矢(九大)
CI-2-9 光MEMS融合システム
  羽根一博(東北大)
CI-3. 環境・生体計測のための光デバイス
(レーザ・量子エレクトロニクス研専、マイクロ波・ミリ波フォトニクス研専 共催)

3月18日 13:00〜16:40 総合教育研究棟 B棟 2階 255 座長 有賀 博(三菱電機)

  講演時間:各25分
座長挨拶:5分
CI-3-1 蛍光イメージングに向けたナノ結晶ダイヤモンド中Si-空孔発光中心の形成
  一色秀夫(電通大)
CI-3-2 シリコンフォトニクスを用いた光共振器集積化バイオセンサー
  ○横山 新・池田 丈・黒田章夫(広島大)
CI-3-3 光計測用波長可変光源
  吉國裕三(北里大)
CI-3-4 KTN光偏向器を用いた高速SS-OCT用200kHz波長掃引光源
  ○小林潤也・豊田誠治・佐々木雄三・上野雅浩・坂本 尊(NTT)・長沼和則・八木生剛(NTT-AT)・近江雅人(阪大)

休 憩(15分)  座長 関根徳彦(NICT)

CI-3-5 共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の進展と分析応用への展開
  ○鈴木左文・浅田雅洋(東工大)
CI-3-6 変調器ベース光コム発生器を用いた広帯域光コム発生と高周波数精度テラヘルツ波発生への応用
  ○諸橋 功・入交芳久・熊谷基弘・坂本高秀・関根徳彦・川西哲也・落合 啓・寶迫 巌(NICT)
CI-3-7 非線形光学効果によるテラヘルツ波発生検出技術開発の最先端
  南出泰亜(理研)
CI-3-8 大気観測用THz量子カスケードレーザの位相ロック技術開発
  ○入交芳久・熊谷基弘・諸橋 功・川上 彰・関根徳彦・長野重夫・落合 啓・田中秀吉・花土ゆう子・寶迫 巌(NICT)
BCI-1. 高度化するマルチコア・マルチモード光伝送とデバイス技術
(光エレクトロニクス研専、光通信システム研専、光ファイバ応用技術研専、光通信インフラの飛躍的な高度化に関する時限研専 共催)

3月19日 13:00〜17:00 総合教育研究棟 F棟 2階 271 座長 浜本貴一(九大)

  講演時間:各25分
座長挨拶:5分
BCI-1-1 SDM光伝送技術の動向
  ○森田逸郎・釣谷剛宏(KDDI研)
BCI-1-2 マルチコアファイバ用光増幅技術
  ○小野浩孝・辻川恭三(NTT)・竹永勝宏・市井健太郎・松尾昌一郎(フジクラ)・山田 誠(阪府大)・増田浩次(島根大)・小林壮一(千歳科技大)
BCI-1-3 マルチコアファイバ用融着接続技術
  ◎安間淑通・高橋 中・竹永勝宏・松尾昌一郎(フジクラ)
BCI-1-4 マルチコアファイバ用コネクタ接続技術
  ○長瀬 亮・境目賢義(千葉工大)・渡辺健吾・斎藤恒聡(古河電工)
BCI-1-5 空間多重・モード多重ファイバ用入出力技術
  國分泰雄(横浜国大)

休 憩(10分)  座長 廣岡俊彦(東北大)

BCI-1-6 OAMを用いた光伝送技術
  ○淡路祥成・和田尚也(NICT)・戸田康則(北大)
BCI-1-7 モード多重伝送用光ファイバ技術の進展
  ◎森 崇嘉・坂本泰志・和田雅樹・山本貴司・山本文彦(NTT)
BCI-1-8 モード多重伝送用PLC型モード合分波器
  ○齊藤晋聖・植松卓威(北大)・半澤信智・坂本泰志・松井 隆・辻川恭三・山本文彦(NTT)
BCI-1-9 光モードスイッチの展望
  浜本貴一(九大)
BCI-2. マイクロ波・ミリ波フォトニクスによる電磁界計測応用の動向
(マイクロ波・ミリ波フォトニクス研専、光応用電磁界計測時限研専 共催)

3月19日 9:20〜12:00 総合教育研究棟 B棟 2階 256 座長 富岡多寿子(東芝)

  講演時間:各30分
座長挨拶:5分
BCI-2-1 光応用電磁界計測の研究動向
  陳 強(東北大)
BCI-2-2 マイクロ波フォトニクス技術による電磁界計測応用の標準化動向
  ○黒川 悟(産総研)・市川潤一郎(住友大阪セメント)・鳥羽良和(精工技研)・今荘義弘(スタック電子)・川西哲也(NICT)・小川博世(電波産業会)
BCI-2-3 光電界センサの製品化動向
  ○鳥羽良和・一條 淳(精工技研)・黒川 悟(産総研)

休 憩(5分)  座長 都甲浩芳(NTT)

BCI-2-4 光電界センサを用いた移動無線基地局アンテナシステム周辺の電界強度評価
  ○東山潤司・垂澤芳明(NTTドコモ)
BCI-2-5 光電界センサを利用したイメージングレーダ
  佐藤源之(東北大)