電子情報通信学会総合大会講演要旨
CT-2-8
GaN-FETを用いた5MHz・DC-DCコンバータの高電力密度化
○松浦 研・栁 洋成・富岡 聡(TDKラムダ)・針屋昭典・石塚洋一(長崎大)・二宮 保(国際東アジア研究センター)
GaN(窒化ガリウム)FETと専用ドライバIC、NiZn系フェライト材料を用いて、5MHzコンバータの小形化、高効率化を行い、120W出力、効率93%を実現したことを報告する。