電子情報通信学会総合大会講演要旨
CT-2-5
Siパワー半導体開発の現状と応用動向
川口雄介(東芝)
シリコン(Si)パワーデバイスはその材料限界が近づき、近年、物性的に優れたシリコンカーバイド(SiC)、ガリウムナイトライドといったワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが注目を集めている。しかしながら、Siパワーデバイス市場は今後も拡大が続き、2020年時点であってもSiはパワーデバイス市場全体の約90%程度を占めると予想され、依然として活発な研究開発が行われている。本発表では、Siパワーデバイス全体の応用動向を述べた後、パワーデバイスの開発の現状を説明する。