電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-12-49
多値アンチ・ヒューズの実現に向けたゲート酸化膜の破壊位置制御手法の提案と実証
○更田裕司・高宮 真・桜井貴康(東大)
MOSFETのゲート酸化膜破壊をアンチ・ヒューズとして用いた、one time programmable(OTP)メモリがチップ固有IDの格納やアナログ回路のトリミング等の用途で用いられており、近年その大容量化が求められている。従来のゲート酸化膜破壊型のアンチ・ヒューズは酸化膜の破壊有無により情報を保持するが、本稿では、それに加えて酸化膜破壊位置という情報をもたせることで、ヒューズの多値化の実現を目指す。しかし、これまで酸化膜破壊の位置を制御する試みはなされておらず、その手段は未だ明らかでない。そこで本稿では、ゲート酸化膜の破壊位置の制御手法を提案し、その有効性の実証を行う。