電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-6-6
減圧MOCVD法によりr面サファイア基板上に成長した非極性GaN膜の特性
西山智哉・三宅祐介・○竹澤和樹・玉山泰宏・安井寛治(長岡技科大)
窒化ガリウム(GaN)は融点が高く化学的にも安定で、高い絶縁破壊電界や大きな電子の飽和ドリフト速度等の特徴を有する直接遷移型ワイドギャップ半導体であり、発光デバイスや高周波•大電力用半導体デバイス用材料として実用化されている。本研究室では、減圧MOCVD法によりSi基板上にⅤ/Ⅲ供給比100以下の条件で高品質なGaN膜のエピタキシャル成長に成功している。本研究では、更に優れたGaN結晶膜を得るために結晶構造が同じウルツァイト構造であるサファイア基板を用いて結晶成長実験を行った。特にこれまで最も用いられているc面基板に加え、発光効率が向上すると期待されている非極性面であるr面基板を用いて成長させ、その堆積特性と膜特性を調べた。