電子情報通信学会総合大会講演要旨
C-12-54
ランダム・テレグラフ・ノイズがCMOS組合せ回路の遅延ゆらぎに及ぼす影響
○松本高士(京大)・小林和淑(京都工繊大)・小野寺秀俊(京大)
ランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)による組合せ回路遅延ゆらぎの統計的な性質を40nm CMOSテクノロジにおいて試作した2,520個のリング発振回路(RO)を測定することによって明らかにした。
わずかなROにおいて巨大な遅延ゆらぎが発生し、低電圧(0.65V)において最大で10.4%のゆらぎが発生した。また、論理段数が少なくなるほどRTNの影響は大きくなる。動作電圧、トランジスタサイズ、論理段数、ゲートの種類、基板バイアスなど回路設計者が調整可能な設計値が低電圧CMOS論理回路のRTNによる遅延ゆらぎに及ぼす影響について報告する。