電気学会全国大会講演要旨
5-088
高温超伝導バルク磁石のパルス着磁における異方的な磁場侵入挙動
○岡 徹雄・太田博之・下田達也・小川 純・福井 聡・佐藤孝雄(新潟大学)・横山和哉(足利工業大学)・村上 明(一関工業高等専門学校)・ランガーマルコ(IFW ドレスデン)
高温超伝導バルク磁石の励磁にコンパクトで簡便な方法としてパルス着磁法を採用し、より強い磁場捕捉をねらった研究を行ってきた。超伝導状態で量子化した磁束の侵入は材料の超伝導性能、具体的には臨界電流密度Jcの分布に影響されると予想できることから、巨視的な構造分布がある結晶成長境界(GSBと呼ぶ)と結晶成長領域(GSR)での磁場侵入挙動に着目し、その相違を磁場測定と温度測定によって調査した。磁束の侵入挙動はGSBとGSRというマクロ組織によって異なり、その異方性が明確となった。