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SiC-MOSFETの電流センス機能を用いたデッドタイム制御回路
◎今澤孝則・丹羽章雅・入江将嗣・山本昌弘・川原英樹・木村友則・笹谷卓也（デンソー）・磯部高範・只野 博（筑波大学）
SiC-MOSFETに備わる電流センス機能を用いた新しいデッドタイム制御回路を開発した。提案回路は、外付け部品レスでデッドタイムを0.1µsec以下に短縮することが可能であり、SiC-MOSFETのボディダイオードを還流ダイオードとして使用した場合でも、SiC-SBDを使用した際と同等程度の損失に抑えることが可能となる。