Zソースインバータは、インバータ単体での昇圧動作が可能であり、小型化を必要とされるEV等での電力変換器としての利用が期待されている。しかし、本回路方式は機能融合により、昇圧DCDCコンバータ.・インバータを組み合わせた従来方式に比べ、インバータ部への電圧・電流量が増加する。そこで現在主流のSi-IGBTに比べ、低オン抵抗なSiC-MOSFETの導入が有効と考えられる。我々は、本回路方式にSiC-MOSFETを適用した際、通電の好ましくないボディーダイオードへの通電を行わない回路動作が可能なことを確認している。今回は本回路方式の上下短絡時のスイッチングパターンについて検討を行ったので報告する。