近年，電力変換回路はシリコンカーバイド(SiC) を用いたパワーデバイスが適用され始め，小型・高効率化が進んでいる。一方，スイッチング時に発生するサージ電圧は直流側寄生インダクタンスに依存しており，特にSiCパワーデバイスを用いた回路ではその影響が顕著となる。これまで，寄生インダクタンスは絶対値[H] で述べられており，一般化された設計法は検討されていないように思われる。 本論文は電力変換回路の電圧・電流定格とスイッチング時間に基づき，回路インピーダンスに対して寄生インダクタンスをパーセント[%]で規格化する手法を示す。さらに，本稿で提案する手法の妥当性を確認するために，SiC-MOSFET を用いて500 V，400 A のスイッチング試験を行う。