近年SiCやGaN、ダイヤモンドなどのワイドギャップ半導体材料を用いたパワーデバイスが開発されており、一部実用化されている。これらパワーデバイスを信頼性高く、効率的に駆動するには、スイッチング動作時の現象理解と共に、スイッチング時に発生するノイズの抑制が望まれている。本研究では、チョッパ回路を対象に、スイッチング素子にチップ材質と構造の異なるパワーデバイスにおけるスイッチング動作を検討するための実験回路を構築した。同回路を駆動するパワーデバイスのチップ材質にSiC-MOSFET、Si-MOSFETおよび比較のためGaN-HEMTを選定した。各素子のターンオン時のドレイン-ソース間の電圧Vds、電流負荷ILoadの時間変化と、重畳されるサージ電圧およびサージ電流を評価した。