4-008
チップ材質と構造の異なるパワーデバイスのスイッチング波形に関する基礎検討
◎園田将史・神代真也・加茂智士・大塚信也（九州工業大学）・吐合一徳・福島宏樹・川波靖彦（安川電機）
本論文では、SiCとSi-MOSFETおよびGaN-HEMTの3種類のチップ材質と構造の異なるパワーデバイスを用いてインダクタンス負荷のチョッパ回路でスイッチング動作を行ない、スイッチング動作時の放射ノイズを、ミックスドドメインオシロスコープを用いて各時間領域毎に測定し比較検討した。その結果、放射ノイズの強くなるスイッチング動作のタイミングおよびその周波数の特徴を明らかにした。